itkvariat

    SK Hynix представила 321-слойную UFS 4.1 для смартфонов




    Производитель памяти SK hynix анонсировал первую в мире 321-слойную флэш-память UFS 4.1 TLC NAND для смартфонов. Она быстрее, эффективнее и тоньше — идеально подходит для следующего поколения телефонов, которые будут ориентированы на тонкие сборки и инструменты ИИ, заявляет компания.

    По сравнению с предыдущим поколением (которое использовало 238-слойную конструкцию) с 2022 года эти новые чипы хранения имеют на 15% более высокую скорость случайного чтения и на 40% более высокую скорость случайной записи. Для последовательного чтения они максимально используют интерфейс в 4,3 ГБ/с.

    Кроме того, толщина пакета NAND составляет 0,85 мм, а не 1 мм. Звучит не так уж много, но каждая мелочь помогает, если телефоны вроде Galaxy S25 Edge станут популярными.

    Оставив в стороне последние тенденции, новый 321-слойный дизайн UFS 4.1 на 7% более энергоэффективен, чем предыдущее поколение — меньше тепла и больше производительности всегда в тренде.

    SK hynix заявляет, что последовательная скорость чтения улучшит производительность ИИ на устройстве (поскольку она ускорит загрузку модели в оперативную память), а улучшенная случайная производительность повысит многозадачность.

    Компания будет выпускать хранилища двух емкостей — 512 ГБ и 1 ТБ. Все верно, варианта на 256 ГБ не будет, поэтому на это стоит обратить внимание при выборе следующего телефона (например, как сейчас модели на 128 ГБ используют UFS 3.1).

    Однако это проблема следующего года — SK hynix заявляет, что рассчитывает получить заказы от производителей смартфонов в этом году и начать массовые поставки в первые три месяца следующего года.

    Но это не только смартфоны, компания также работает над 321-слойными конструкциями для твердотельных накопителей для потребителей и центров обработки данных.


    Иван Ковалев

    VIA





    Подписывайтесь и читайте новости от ITквариат раньше остальных в нашем Telegram-канале !



    Заметили ошибку? Выделите ее мышкой и нажмите Ctrl+Enter!  




    И еще об интересном...
  • Почему современные компьютерные игры используют так много видеопамяти?
  • LG G6: большой тест - обзор
  • SSD-накопитель Western Digital Blue. Дождались!
  • SSD-накопитель Samsung 960 EVO. Чудес не бывает…
  • SSD-накопитель ADATA Ultimate SU800. 3D NAND уже не роскошь.
  • SSD-накопитель Plextor M8Pe. Новый «клиент» для шины PCI Express
  • «Сапожник без сапог». SSD-накопитель Intel SSD 540s


  • А что вы думаете? Напишите в комментариях!
    Кликните на изображение чтобы обновить код, если он неразборчив



    В комментариях запрещено использовать ненормативную лексику, оскорблять других пользователей сайта, запрещены активные ссылки на сторонние сайты и реклама в комментариях. Уважаемые читатели! Просим вас, оставляя комментарии, уважать друг друга и не злоупотреблять свободой слова. Пользователи, которые нарушают эти правила грубо или систематически, будут заблокированы.

    Полная версия правил

Самое популярное
    
Проверьте скорость вашего интернета!


Что бывало...
Наши друзья
Сервисный центр Five Service

Магазин кабелей и аксессуаров UGREEN

Самоклейкин

Смарт



SK Hynix представила 321-слойную UFS 4.1 для смартфонов




Производитель памяти SK hynix анонсировал первую в мире 321-слойную флэш-память UFS 4.1 TLC NAND для смартфонов. Она быстрее, эффективнее и тоньше — идеально подходит для следующего поколения телефонов, которые будут ориентированы на тонкие сборки и инструменты ИИ, заявляет компания.

По сравнению с предыдущим поколением (которое использовало 238-слойную конструкцию) с 2022 года эти новые чипы хранения имеют на 15% более высокую скорость случайного чтения и на 40% более высокую скорость случайной записи. Для последовательного чтения они максимально используют интерфейс в 4,3 ГБ/с.

Кроме того, толщина пакета NAND составляет 0,85 мм, а не 1 мм. Звучит не так уж много, но каждая мелочь помогает, если телефоны вроде Galaxy S25 Edge станут популярными.

Оставив в стороне последние тенденции, новый 321-слойный дизайн UFS 4.1 на 7% более энергоэффективен, чем предыдущее поколение — меньше тепла и больше производительности всегда в тренде.

SK hynix заявляет, что последовательная скорость чтения улучшит производительность ИИ на устройстве (поскольку она ускорит загрузку модели в оперативную память), а улучшенная случайная производительность повысит многозадачность.

Компания будет выпускать хранилища двух емкостей — 512 ГБ и 1 ТБ. Все верно, варианта на 256 ГБ не будет, поэтому на это стоит обратить внимание при выборе следующего телефона (например, как сейчас модели на 128 ГБ используют UFS 3.1).

Однако это проблема следующего года — SK hynix заявляет, что рассчитывает получить заказы от производителей смартфонов в этом году и начать массовые поставки в первые три месяца следующего года.

Но это не только смартфоны, компания также работает над 321-слойными конструкциями для твердотельных накопителей для потребителей и центров обработки данных.


Иван Ковалев

VIA





Подписывайтесь и читайте новости от ITквариат раньше остальных в нашем Telegram-канале !



Заметили ошибку? Выделите ее мышкой и нажмите Ctrl+Enter!  




И еще об интересном...
  • Почему современные компьютерные игры используют так много видеопамяти?
  • LG G6: большой тест - обзор
  • SSD-накопитель Western Digital Blue. Дождались!
  • SSD-накопитель Samsung 960 EVO. Чудес не бывает…
  • SSD-накопитель ADATA Ultimate SU800. 3D NAND уже не роскошь.
  • SSD-накопитель Plextor M8Pe. Новый «клиент» для шины PCI Express
  • «Сапожник без сапог». SSD-накопитель Intel SSD 540s


  • А что вы думаете? Напишите в комментариях!
    Кликните на изображение чтобы обновить код, если он неразборчив



    В комментариях запрещено использовать ненормативную лексику, оскорблять других пользователей сайта, запрещены активные ссылки на сторонние сайты и реклама в комментариях. Уважаемые читатели! Просим вас, оставляя комментарии, уважать друг друга и не злоупотреблять свободой слова. Пользователи, которые нарушают эти правила грубо или систематически, будут заблокированы.

    Полная версия правил
    ITквариат (АйТиквариат) Powered by © 1996-2025