Компания Samsung представила свой модуль оперативной памяти DDR5 объемом 512 ГБ, который более чем в два раза превышает скорость DDR4 на уровне 7200 мегабит в секунду. Он нацелен на управление процессами суперкомпьютеров с интенсивным использованием данных, искусственного интеллекта и машинного обучения.
В модуле используется технология сквозного полупроводникового транзистора (TSV) для объединения восьми слоев чипов DRAM объемом 16 ГБ для достижения емкости 512 ГБ. Он также применяет технологию Intel High-K Metal Gate (HKMG), традиционно используемую в логических полупроводниках, а не в памяти, вместо типичного изоляционного слоя. Это позволяет получить более высокую плотность чипа с уменьшенной утечкой тока.
Он будет потреблять примерно на 13% меньше энергии, что важно для энергоемких центров обработки данных.
"Внедряя этот тип технологических инноваций в производство DRAM, мы можем предложить нашим клиентам высокопроизводительные, но при этом энергоэффективные решения для памяти для питания компьютеров, необходимых для медицинских исследований, финансовых рынков, автономного вождения, умных городов и не только", - Об этом говорится в официальном сообщении вице-президента группы Samsung DRAM Ён-Су Сон.
Иван Ковалев
VIAПрошло почти четыре года с тех пор, как Apple последний раз обновляла свой iPod touch, который стал, пожалуй, образцом
Перед Galaxy S22 Ultra стоит непростая задача — попытаться превзойти один из лучших телефонов, когда-либо созданных
Несколько дней назад генеральный директор Epic Games, создатель "самого успешного движка для видеоигр",
