Компания Samsung представила свой модуль оперативной памяти DDR5 объемом 512 ГБ, который более чем в два раза превышает скорость DDR4 на уровне 7200 мегабит в секунду. Он нацелен на управление процессами суперкомпьютеров с интенсивным использованием данных, искусственного интеллекта и машинного обучения.
В модуле используется технология сквозного полупроводникового транзистора (TSV) для объединения восьми слоев чипов DRAM объемом 16 ГБ для достижения емкости 512 ГБ. Он также применяет технологию Intel High-K Metal Gate (HKMG), традиционно используемую в логических полупроводниках, а не в памяти, вместо типичного изоляционного слоя. Это позволяет получить более высокую плотность чипа с уменьшенной утечкой тока.
Он будет потреблять примерно на 13% меньше энергии, что важно для энергоемких центров обработки данных.
"Внедряя этот тип технологических инноваций в производство DRAM, мы можем предложить нашим клиентам высокопроизводительные, но при этом энергоэффективные решения для памяти для питания компьютеров, необходимых для медицинских исследований, финансовых рынков, автономного вождения, умных городов и не только", - Об этом говорится в официальном сообщении вице-президента группы Samsung DRAM Ён-Су Сон.
Иван Ковалев
VIAИстория насчитывает множество примеров, когда технологии, разработанные в то или иное время, опередили сами себя на
Windows 10 уже довольно давно доступна для загрузки и установки, но многие до сих пор относятся к ней с некоторой
Мобильный всемирный конгресс (MWC) - это самый большой слет производителей мобильных телефонных аппаратов в мире и
