itkvariat

    Samsung представил DDR5 емкостью 512 ГБ с невероятной скоростью работы




    Компания Samsung представила свой модуль оперативной памяти DDR5 объемом 512 ГБ, который более чем в два раза превышает скорость DDR4 на уровне 7200 мегабит в секунду. Он нацелен на управление процессами суперкомпьютеров с интенсивным использованием данных, искусственного интеллекта и машинного обучения.

    В модуле используется технология сквозного полупроводникового транзистора (TSV) для объединения восьми слоев чипов DRAM объемом 16 ГБ для достижения емкости 512 ГБ. Он также применяет технологию Intel High-K Metal Gate (HKMG), традиционно используемую в логических полупроводниках, а не в памяти, вместо типичного изоляционного слоя. Это позволяет получить более высокую плотность чипа с уменьшенной утечкой тока.

    Он будет потреблять примерно на 13% меньше энергии, что важно для энергоемких центров обработки данных.

    "Внедряя этот тип технологических инноваций в производство DRAM, мы можем предложить нашим клиентам высокопроизводительные, но при этом энергоэффективные решения для памяти для питания компьютеров, необходимых для медицинских исследований, финансовых рынков, автономного вождения, умных городов и не только", - Об этом говорится в официальном сообщении вице-президента группы Samsung DRAM Ён-Су Сон.



    Подписывайтесь и читайте новости от ITквариат раньше остальных в нашем Telegram-канале !

    Поделитесь этой новостью с друзьями!

    Иван Ковалев

    VIA

    Заметили ошибку? Выделите ее мышкой и нажмите Ctrl+Enter!  

    И еще об интересном...
  • Xbox One vs PS4: Самое детальное сравнение двух платформ
  • LG G6: большой тест - обзор
  • Обзор игровой материнской платы ASRock Fatal1ty Z170 Gaming K6+
  • Бюджетный и производительный. Компактный NAS-сервер Thecus N2810
  • Репортажная зеркальная цифровая фотокамера Nikon D500. Новый флагман для искушенных.
  • Материнская плата ASUS X99-M WS. Компактная мечта максималиста…
  • «Сапожник без сапог». SSD-накопитель Intel SSD 540s


  • А что вы думаете? Напишите в комментариях!
    Кликните на изображение чтобы обновить код, если он неразборчив



    В комментариях запрещено использовать ненормативную лексику, оскорблять других пользователей сайта, запрещены активные ссылки на сторонние сайты и реклама в комментариях. Уважаемые читатели! Просим вас, оставляя комментарии, уважать друг друга и не злоупотреблять свободой слова. Пользователи, которые нарушают эти правила грубо или систематически, будут заблокированы.

    Полная версия правил

Что бывало...

Проверьте скорость вашего интернета!


Самое популярное
    
Наши друзья
Магазин кабелей и аксессуаров UGREEN

Студия 3D-печати PRO3D

Майки с картинками

Самоклейкин

Смарт

Samsung представил DDR5 емкостью 512 ГБ с невероятной скоростью работы




Компания Samsung представила свой модуль оперативной памяти DDR5 объемом 512 ГБ, который более чем в два раза превышает скорость DDR4 на уровне 7200 мегабит в секунду. Он нацелен на управление процессами суперкомпьютеров с интенсивным использованием данных, искусственного интеллекта и машинного обучения.

В модуле используется технология сквозного полупроводникового транзистора (TSV) для объединения восьми слоев чипов DRAM объемом 16 ГБ для достижения емкости 512 ГБ. Он также применяет технологию Intel High-K Metal Gate (HKMG), традиционно используемую в логических полупроводниках, а не в памяти, вместо типичного изоляционного слоя. Это позволяет получить более высокую плотность чипа с уменьшенной утечкой тока.

Он будет потреблять примерно на 13% меньше энергии, что важно для энергоемких центров обработки данных.

"Внедряя этот тип технологических инноваций в производство DRAM, мы можем предложить нашим клиентам высокопроизводительные, но при этом энергоэффективные решения для памяти для питания компьютеров, необходимых для медицинских исследований, финансовых рынков, автономного вождения, умных городов и не только", - Об этом говорится в официальном сообщении вице-президента группы Samsung DRAM Ён-Су Сон.



Подписывайтесь и читайте новости от ITквариат раньше остальных в нашем Telegram-канале !

Поделитесь этой новостью с друзьями!

Иван Ковалев

VIA

Заметили ошибку? Выделите ее мышкой и нажмите Ctrl+Enter!  

И еще об интересном...
  • Xbox One vs PS4: Самое детальное сравнение двух платформ
  • LG G6: большой тест - обзор
  • Обзор игровой материнской платы ASRock Fatal1ty Z170 Gaming K6+
  • Бюджетный и производительный. Компактный NAS-сервер Thecus N2810
  • Репортажная зеркальная цифровая фотокамера Nikon D500. Новый флагман для искушенных.
  • Материнская плата ASUS X99-M WS. Компактная мечта максималиста…
  • «Сапожник без сапог». SSD-накопитель Intel SSD 540s


  • А что вы думаете? Напишите в комментариях!
    Кликните на изображение чтобы обновить код, если он неразборчив



    В комментариях запрещено использовать ненормативную лексику, оскорблять других пользователей сайта, запрещены активные ссылки на сторонние сайты и реклама в комментариях. Уважаемые читатели! Просим вас, оставляя комментарии, уважать друг друга и не злоупотреблять свободой слова. Пользователи, которые нарушают эти правила грубо или систематически, будут заблокированы.

    Полная версия правил
    ITквариат Powered by © 1996-2019