Компания Samsung представила свой модуль оперативной памяти DDR5 объемом 512 ГБ, который более чем в два раза превышает скорость DDR4 на уровне 7200 мегабит в секунду. Он нацелен на управление процессами суперкомпьютеров с интенсивным использованием данных, искусственного интеллекта и машинного обучения.
В модуле используется технология сквозного полупроводникового транзистора (TSV) для объединения восьми слоев чипов DRAM объемом 16 ГБ для достижения емкости 512 ГБ. Он также применяет технологию Intel High-K Metal Gate (HKMG), традиционно используемую в логических полупроводниках, а не в памяти, вместо типичного изоляционного слоя. Это позволяет получить более высокую плотность чипа с уменьшенной утечкой тока.
Он будет потреблять примерно на 13% меньше энергии, что важно для энергоемких центров обработки данных.
"Внедряя этот тип технологических инноваций в производство DRAM, мы можем предложить нашим клиентам высокопроизводительные, но при этом энергоэффективные решения для памяти для питания компьютеров, необходимых для медицинских исследований, финансовых рынков, автономного вождения, умных городов и не только", - Об этом говорится в официальном сообщении вице-президента группы Samsung DRAM Ён-Су Сон.
Иван Ковалев
VIAНесомненно новая, четвертая приставка AppleTV сделала кардинально широкий шаг вперед по сравнению с предыдущей версией.
Тенденция удваивания функциональности в различных устройствах существует уже довольно давно и началась она даже не со
В этой статье мы попытаемся разобраться, чем общепринятый интернет–маркетинг отличается от digital-маркетинга. Очень
