Компания Samsung представила свой модуль оперативной памяти DDR5 объемом 512 ГБ, который более чем в два раза превышает скорость DDR4 на уровне 7200 мегабит в секунду. Он нацелен на управление процессами суперкомпьютеров с интенсивным использованием данных, искусственного интеллекта и машинного обучения.
В модуле используется технология сквозного полупроводникового транзистора (TSV) для объединения восьми слоев чипов DRAM объемом 16 ГБ для достижения емкости 512 ГБ. Он также применяет технологию Intel High-K Metal Gate (HKMG), традиционно используемую в логических полупроводниках, а не в памяти, вместо типичного изоляционного слоя. Это позволяет получить более высокую плотность чипа с уменьшенной утечкой тока.
Он будет потреблять примерно на 13% меньше энергии, что важно для энергоемких центров обработки данных.
"Внедряя этот тип технологических инноваций в производство DRAM, мы можем предложить нашим клиентам высокопроизводительные, но при этом энергоэффективные решения для памяти для питания компьютеров, необходимых для медицинских исследований, финансовых рынков, автономного вождения, умных городов и не только", - Об этом говорится в официальном сообщении вице-президента группы Samsung DRAM Ён-Су Сон.
Иван Ковалев
VIAВремя от времени случается так, что новая, приобретенная вами игра, вдруг оказывается не «по зубам» вашему компьютеру.
Очередные "проблемные" новости на «яблочных» форумах появились спустя короткое время после выхода первых бета версий
Планшет получил более производительный процессор, металлический корпус и экран с частотой 120 Гц, что делает его
