Samsung планирует начать массовое производство 2-нм чипов GAA уже в следующем году
от: 30-04-2024 11:50 | раздел: Новости
За последние несколько лет компания Samsung столкнулась с огромным спадом в своем бизнесе по производству полупроводниковых чипов. Ни одна крупная фирма по производству микросхем (кроме подразделения Samsung System LSI, производящего чипы Exynos) не использовала 3-нм техпроцесс Samsung Foundry и 4-нм технологические узлы нового поколения. Тем не менее, компания по-прежнему продвигается вперед в разработке новых технологических узлов чипов, включая 2-нм узлы.
В новом отчете Business Korea говорится, что Samsung Foundry разрабатывает технологию Gate Allaround (GAA) следующего поколения, которая будет использоваться в 2-нм техпроцессе компании. Массовое производство 2-нм полупроводниковых чипов на основе этой технологии запланировано на следующий год. Сообщается, что южнокорейская фирма представит доклад о технологии GAA третьего поколения, которая будет использоваться для 2-нм чипов, на выставке VLSI Symposium 2024. Эта выставка пройдет на Гавайях, США, с 16 по 20 июня 2024 года.
Данное мероприятие входит в тройку крупнейших мировых конференций по полупроводникам, на которых обсуждаются передовые технологии в этой области. Две другие ведущие конференции по полупроводниковым микросхемам — это Международная конференция по электронным устройствам (IEDM) и Международная конференция по твердотельным схемам (ISSCC).
В чем преимущество GAA?
GAA — это новый тип конструкции транзистора, который улучшает ток и энергоэффективность. Он был представлен на базе 3-нм технологического процесса первого поколения от Samsung Foundry. Однако он не использовался ни одной другой фирмой по производству чипов, включая AMD, Apple, MediaTek, Nvidia и Qualcomm. Ожидается, что собственное подразделение Samsung System LSI будет первым, кто будет использовать 3-нм техпроцесс Samsung Foundry для своих чипов Exynos следующего поколения для телефонов и умных часов.
По сравнению с чипами, изготовленными по 5-нм техпроцессу Samsung Foundry, 3-нм чипы GAA первого поколения продемонстрировали уменьшение площади на 16%, улучшение производительности на 23% и повышение энергоэффективности на 45%. По оценкам, 3-нм техпроцесс второго поколения обеспечит уменьшение площади чипа на 35%, повышение производительности на 30% и повышение энергоэффективности на 50%. Сообщается, что GAA третьего поколения, которое будет использоваться в 2-нм чипах, обеспечит сокращение площади на 50% и повышение производительности на 50%.
Главный конкурент Samsung, TSMC, еще не использовал технологию Gate Allaround в своих передовых технологических узлах. Samsung планирует начать массовое производство 3-нм чипов GAA второго поколения (как в Galaxy S25) во второй половине этого года. Ожидается, что Intel и TSMC будут использовать GAA в своих 2-нм процессах следующего поколения.
Иван Ковалев
VIA
Подписывайтесь и читайте новости от ITквариат раньше остальных в нашем
Telegram-канале !
Заметили ошибку? Выделите ее мышкой и нажмите Ctrl+Enter!
И еще об интересном...
Samsung создает 3-нм процессор второго поколения для смартфонов, превосходящий Snapdragon 8 Gen 4Samsung планирует использовать технологии Nvidia для улучшения своих собственных чиповSamsung может навсегда отказаться от чипов ExynosApple будет использовать будущий 3-нм узел TSMC (N3E) для следующих чипов iPhone и MacКак Microsoft создает Xbox One X - самую мощную игровую консоль в мире (+видео)Apple iPod, 15 лет триумфа…«Сапожник без сапог». SSD-накопитель Intel SSD 540s
